SSM6N815R
Symbol Micros:
TSSM6n815r
Gehäuse: TSOP06
Transistor MOSFET N-CH 100V 2A 6-Pin TSOP Emboss Transistor MOSFET N-CH 100V 2A 6-Pin TSOP Emboss
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Parameter
| Verlustleistung: | 1,8W |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: SSM6N815R RoHS
Gehäuse: TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9064 | 0,6669 | 0,5330 | 0,4579 | 0,4321 |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: SSM6N815R,LF(T
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
33000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4321 |
| Verlustleistung: | 1,8W |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
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