SSM6N815R

Symbol Micros: TSSM6n815r
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
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Transistor MOSFET N-CH 100V 2A 6-Pin TSOP Emboss Transistor MOSFET N-CH 100V 2A 6-Pin TSOP Emboss
Parameter
Verlustleistung: 1,8W
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: TSOP06
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM6N815R RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8997 0,6619 0,5291 0,4545 0,4289
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Standard-Verpackung:
10
Verlustleistung: 1,8W
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: TSOP06
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: N-MOSFET

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