STB11N65M5 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTB11N65M5
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Gehäuse: D2PAK
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Transistor N-Channel MOSFET; 710V; +/-25V; 480mOhm; 9A; 85W; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 480mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 710V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB11N65M5 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9097
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB11N65M5 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9432
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 480mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 710V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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