STB19NF20
Symbol Micros:
TSTB19NF20
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 15A 200V 90W 0.16Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB19NF20
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5537 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB19NF20
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5539 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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