STB24N60DM2

Symbol Micros: TSTB24N60DM2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET 18A 650V 150W 0.2Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB24N60DM2 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4735
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole