STB42N65M5
Symbol Micros:
TSTB42N65M5
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 33A 650V 190W 0.079Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 0,079Ohm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB42N65M5
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
13000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,8348 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB42N65M5
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 6,3580 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 0,079Ohm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 155°C |
| Montage: | SMD |
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