STB75NF75LT4
Symbol Micros:
TSTB75NF75LT4 VBS
Gehäuse: TO263
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 10mOhm; 120A; 370W; -55°C~175°C; STB75NF75LT4-VB; CMB75NF75; HT75NF75;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10mOhm |
Max. Drainstrom: | 120mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 370mW |
Gehäuse: | TO263 |
Hersteller: | VBSEMI ELEC |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-08-30
Anzahl Stück: 1
Widerstand im offenen Kanal: | 10mOhm |
Max. Drainstrom: | 120mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 370mW |
Gehäuse: | TO263 |
Hersteller: | VBSEMI ELEC |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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