STB7NK80Z

Symbol Micros: TSTB7NK80Z

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,8 Ohm; 5,2A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STB7NK80ZT4;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,8Ohm
Max. Drainstrom:	5,2A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB7NK80ZT4 RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

8 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	2,6966	2,1948	1,9040	1,7657	1,6860

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB7NK80ZT4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6860

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB7NK80ZT4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6860

Widerstand im offenen Kanal:	1,8Ohm
Max. Drainstrom:	5,2A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD