STB80NF10

Symbol Micros: TSTB80NF10

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STB80NF10T4;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB80NF10T4 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,2839	1,8126	1,6391	1,5500	1,5218

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB80NF10T4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5218

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB80NF10T4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5218

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB80NF10T4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5218

Widerstand im offenen Kanal:	15mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD