STD10NM60N DPAK
Symbol Micros:
TSTD10nm60n
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 550 mOhm; 10A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD10NM60N
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4735 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD10NM60N
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4143 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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