STD10NM60N DPAK

Symbol Micros: TSTD10nm60n

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 550 mOhm; 10A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Montage:	SMD