STD10P6F6

Name: TSTD10p6f6 TSTD10p6f6
Brand: ST
SKU: TSTD10p6f6
Price: 0.3102 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD10p6f6

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 160 mOhm; 10A; 35W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD10P6F6 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

45000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3114

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD10P6F6 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3102

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD10P6F6 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3347

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	35W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD