STD12NF06L

Name: TSTD12nf06l TSTD12nf06l
Brand: ST
SKU: TSTD12nf06l
Price: 0.3526 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD12nf06l

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 42,8 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD12NF06LT4;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	42,8W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

47 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8103	0,5137	0,4063	0,3690	0,3526

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

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47500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3617

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

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7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3526

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

20000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3526

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	42,8W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD