STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD12NF06L-1
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
744975 stk.
| Anzahl Stück | 900+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1373 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
10805 stk.
| Anzahl Stück | 825+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1414 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
5250 stk.
| Anzahl Stück | 825+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1441 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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