STD12NF06L-1 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD12NF06L-1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
606900 stk.
Anzahl Stück 75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1370
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
13955 stk.
Anzahl Stück 75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2305
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole