STD17NF03L

Symbol Micros: TSTD17NF03L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD17NF03LT4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD17NF03LT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7128 0,4479 0,3705 0,3306 0,3095
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD17NF03LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
22500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3095
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD17NF03LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3095
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD17NF03LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3095
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD