STD17NF25

Symbol Micros: TSTD17NF25
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 165 mOhm; 17A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD17NF25 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6043
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD17NF25 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6037
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD17NF25 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
520 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9572
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD