STD1NK60-1
Symbol Micros:
TSTD1NK60-1
Gehäuse: TO262 (I2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 1A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO262 (I2PAK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD1NK60-1 RoHS
Gehäuse: TO262 (I2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4269 | 0,2783 | 0,2000 | 0,1750 | 0,1639 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD1NK60-1
Gehäuse: TO262 (I2PAK)
Externes Lager:
2775 stk.
Anzahl Stück | 675+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1768 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD1NK60-1
Gehäuse: TO262 (I2PAK)
Externes Lager:
8250 stk.
Anzahl Stück | 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2026 |
Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO262 (I2PAK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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