STD1NK80ZT4
Symbol Micros:
TSTD1NK80zt4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 16Ohm; 1A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 16Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD1NK80ZT4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
52500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1839 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD1NK80ZT4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
82500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1742 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD1NK80ZT4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1804 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 16Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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