STD20NF06T4

Name: TSTD20nf06 TSTD20nf06
Brand: ST
SKU: TSTD20nf06
Price: 0.5464 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD20nf06

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 40mOhm; 24A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; STD20NF06;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

170 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1466	0,7621	0,6308	0,5698	0,5464

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 Gehäuse: DPAK

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2290 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6231

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 Gehäuse: DPAK

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122512 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5464

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5464

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD