STD20NF06LT4

Symbol Micros: TSTD20NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 18V; 50mOhm; 24A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8840 0,5604 0,4432 0,4033 0,3846
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4862
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4512
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
27500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4677
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 18V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD