STD20NF06LT4
Symbol Micros:
TSTD20NF06L
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 18V; 50mOhm; 24A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8840 | 0,5604 | 0,4432 | 0,4033 | 0,3846 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4862 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4512 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
27500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4677 |
Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 18V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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