STD20NF20
Symbol Micros:
TSTD20NF20
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 125 mOhm; 18A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 125mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF20 RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,8851 | 2,4821 | 2,2450 | 2,1289 | 2,0601 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF20
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
287500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,0601 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF20
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
1350 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,0601 |
Widerstand im offenen Kanal: | 125mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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