STD20NF20

Symbol Micros: TSTD20NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF20 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,8453 2,4478 2,2140 2,0995 2,0317
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD