STD2N62K3

Symbol Micros: TSTD2N62K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 620V; 30V; 3,6 Ohm; 2,2A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 620V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3 RoHS Gehäuse: TO252t/r (DPACK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6472 0,4104 0,3236 0,2955 0,2814
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2814
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2814
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
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Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2814
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 620V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD