STD2N62K3
Symbol Micros:
TSTD2N62K3
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 620V; 30V; 3,6 Ohm; 2,2A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 620V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3 RoHS
Gehäuse: TO252t/r (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6472 | 0,4104 | 0,3236 | 0,2955 | 0,2814 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2814 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2814 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2814 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 620V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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