STD2N62K3

Symbol Micros: TSTD2N62K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 620V; 30V; 3,6Ohm; 2,2A; 45W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 620V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3 RoHS Gehäuse: TO252t/r (DPACK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6449 0,4089 0,3225 0,2944 0,2804
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 620V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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