STD2NK100Z
Symbol Micros:
TSTD2NK100Z
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 1.85A 1000V 70W 8.5Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,85A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD2NK100Z
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
110000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2933 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD2NK100Z
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
27500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2783 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,85A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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