STD30NF04LT STM
Symbol Micros:
TSTD30nf04lt
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 50mOhm; 30A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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