STD30NF04LT STM

Symbol Micros: TSTD30nf04lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 50mOhm; 30A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD30NF04LT RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8629 0,5722 0,4573 0,4174 0,4104
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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