STD30NF06LT4

Symbol Micros: TSTD30nf06l

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 30mOhm; 35A; 70W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD30NF06L; STD30NF06LT4-VB; STD30NF06LT4; STD30NF06LT4;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	35A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: STD30NF06LT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6485	1,1513	0,9473	0,8817	0,8676

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD30NF06LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

120000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8676

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD30NF06LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

150000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8676

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	35A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD