STD35NF06L UMW

Symbol Micros: TSTD35nf06lt4 UMW
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 20mOhm; 35A; 105W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STD35NF06LT4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 105W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: STD35NF06L RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6730 0,4221 0,3517 0,3119 0,2931
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 105W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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