STD35P6LLF6

Symbol Micros: TSTD35p6llf6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD35P6LLF6 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5842 1,2641 1,0819 0,9720 0,9323
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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