STD3NK50Z-1
Symbol Micros:
TSTD3NK50z-1
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 3,3Ohm; 2,3A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole