STD3NK60Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK60Z-1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 3,6 Ohm; 2,4A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5360 0,3254 0,2417 0,2218 0,2142
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5360 0,3207 0,2680 0,2300 0,2142
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
12510 stk.
Anzahl Stück 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2301
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
30750 stk.
Anzahl Stück 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2183
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
14775 stk.
Anzahl Stück 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2258
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT