STD3NK60Z-1
Symbol Micros:
TSTD3NK60Z-1
Gehäuse: IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | IPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5234 | 0,3178 | 0,2360 | 0,2166 | 0,2091 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | IPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Montage: | THT |
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