STD3NK60Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK60Z-1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5234 0,3178 0,2360 0,2166 0,2091
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5234 0,3131 0,2617 0,2245 0,2091
Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT