STD3NK60Z-1
Symbol Micros:
TSTD3NK60Z-1
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 3,6 Ohm; 2,4A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | IPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5253 | 0,3189 | 0,2368 | 0,2174 | 0,2099 |
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 25+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5253 | 0,3142 | 0,2626 | 0,2253 | 0,2099 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
32700 stk.
Anzahl Stück | 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2255 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
5310 stk.
Anzahl Stück | 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2298 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
30750 stk.
Anzahl Stück | 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2181 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | IPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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