STD3NK80Z-1
Symbol Micros:
TSTD3NK80z1
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 150+ | 525+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9433 | 0,5943 | 0,4504 | 0,4316 | 0,4103 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
5850 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4103 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
2505 stk.
| Anzahl Stück | 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4103 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
20250 stk.
| Anzahl Stück | 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4103 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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