STD3NK80Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK80z1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
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Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
141 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9276 0,6145 0,5070 0,4626 0,4416
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Standard-Verpackung:
75/525
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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