STD3NK80ZT4
Symbol Micros:
TSTD3NK80zt-4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5014 | 1,1470 | 0,9489 | 0,8323 | 0,7903 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
13198 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7903 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7903 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7903 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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