STD4NK60ZT4 D-PAK

Symbol Micros: TSTD4NK60zt4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Kanal Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD4NK60ZT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7477 0,4743 0,3739 0,3411 0,3248
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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