STD5N52K3

Symbol Micros: TSTD5N52K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 1,5Ohm; 4,4A; 70W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 525V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5N52K3 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 0,8599 0,5701 0,4720 0,4253 0,4089
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 525V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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