STD5NK50Z

Symbol Micros: TSTD5NK50Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 4.4A 500V 70W 1.5Ω STD5NK50ZT4
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NK50ZT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2227
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NK50ZT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2547
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD