STD5NM60T4

Symbol Micros: TSTD5NM60t4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM60T4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1531 0,7680 0,6348 0,5730 0,5492
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM60T4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5492
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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