STD5NM60T4

Name: TSTD5NM60t4 TSTD5NM60t4
Brand: ST
SKU: TSTD5NM60t4
Price: 0.5394 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD5NM60t4

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1Ohm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	96W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM60T4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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85 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1326	0,7543	0,6235	0,5628	0,5394

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM60T4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

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7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5394

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM60T4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

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5040 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5394

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM60T4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5394

Widerstand im offenen Kanal:	1Ohm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	96W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD