STD60NF55L

Symbol Micros: TSTD60NF55L

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 15V; 17mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD60NF55LT4;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD60NF55LT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,7392	1,2916	1,1284	1,0491	1,0235

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD60NF55LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

22500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0235

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD60NF55LT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

12500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0235

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	15V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD