STD60NF55L

Symbol Micros: TSTD60NF55L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 15V; 17mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; STD60NF55LT4

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD60NF55LT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7431 1,2945 1,1309 1,0515 1,0258
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Montage: SMD

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