STD6N95K5 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD6N95k5
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Gehäuse: DPAK
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-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD6N95K5 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,0586 2,6310 2,3810 2,2572 2,1847
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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