STD6N95K5 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD6N95k5
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 950V; 30V; 1,25 Ohm; 9A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,25Ohm |
Max. Drainstrom: | 9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 950V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD6N95K5 RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,0518 | 2,6251 | 2,3757 | 2,2521 | 2,1798 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD6N95K5
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,1798 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD6N95K5
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
275000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,1798 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD6N95K5
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,1798 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,25Ohm |
Max. Drainstrom: | 9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 950V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole