STD7N80K5
Symbol Micros:
TSTD7N80K5
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 6A 800V 110W 1.2Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD7N80K5
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8834 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD7N80K5
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8829 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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