STD7NM60N

Symbol Micros: TSTD7NM60N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD7NM60N RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
79 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0561 0,7010 0,5818 0,5234 0,5024
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Montage: SMD

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