STD7NM60N

Name: TSTD7NM60N TSTD7NM60N
Brand: ST
SKU: TSTD7NM60N
Price: 0.5012 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD7NM60N

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 900 mOhm; 5A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	900mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD7NM60N RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

79 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0538	0,6994	0,5805	0,5222	0,5012

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD7NM60N Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

12500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5012

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD7NM60N Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

77500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5012

Widerstand im offenen Kanal:	900mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD