STF10NM60N

Symbol Micros: TSTF10NM60n

Gehäuse: TO220iso

N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 550 mOhm; 10A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	25W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF10NM60N Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

6150 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4878

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	25W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT