STF11NM80

Symbol Micros: TSTF11NM80
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 400 mOhm; 11A; 35W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF11NM80 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,2731 1,9071 1,6949 1,5644 1,5154
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF11NM80 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6514
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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