STF11NM80

Symbol Micros: TSTF11NM80
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF11NM80 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,2782 1,9113 1,6987 1,5679 1,5188
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT