STF13N60M2

Name: TSTF13N60m2 TSTF13N60m2
Brand: ST
SKU: TSTF13N60m2
Price: 0.6738 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTF13N60m2

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 380 mOhm; 11A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	380mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	25W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF13N60M2 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt

Auf Lager:

188 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2799	0,9768	0,8090	0,7087	0,6738

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF13N60M2 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

2050 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6738

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF13N60M2 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

3650 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6738

Widerstand im offenen Kanal:	380mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	25W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT