STF13NM60N
Symbol Micros:
TSTF13NM60N
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 360 mOhm; 11A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole