STF13NM60N

Symbol Micros: TSTF13NM60N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 360 mOhm; 11A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF13NM60N RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
37 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7905 1,4291 1,2240 1,0981 1,0538
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF13NM60N Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
3200 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0538
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF13NM60N Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1035 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0538
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT