STF13NM60N
Symbol Micros:
TSTF13NM60N
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 360 mOhm; 11A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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