STF14NM50N
Symbol Micros:
TSTF14NM50n
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 320mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF14NM50N RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6224 | 1,2946 | 1,1079 | 0,9955 | 0,9548 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF14NM50N
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
420 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9548 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF14NM50N
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
950 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9548 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 320mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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