STF20NF20

Symbol Micros: TSTF20NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 125 mOhm; 18A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF20NF20 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
89 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2706 0,8906 0,7134 0,6924 0,6691
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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