STF24N60M2

Symbol Micros: TSTF24n60m2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF24N60M2 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9211 1,5247 1,3639 1,3032 1,2799
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF24N60M2 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
2150 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2799
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF24N60M2 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
900 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2799
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT