STF3NK100Z

Symbol Micros: TSTF3NK100z
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Gehäuse: TO220iso
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Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 6Ohm; 2,5A; 25W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF3NK100Z RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
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50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5851 1,2648 1,0825 0,9726 0,9328
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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