STF3NK100Z
Symbol Micros:
TSTF3NK100z
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 6Ohm; 2,5A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF3NK100Z RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5807 | 1,2613 | 1,0794 | 0,9699 | 0,9302 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF3NK100Z
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1400 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9302 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF3NK100Z
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9302 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF3NK100Z
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1840 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9302 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole