STF5NK100Z

Symbol Micros: TSTF5NK100z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET 3.5A 1000V 30W 3.7Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF5NK100Z RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9814 1,6216 1,4137 1,2851 1,2384
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT