STF7NM60N
Symbol Micros:
TSTF7NM60n
Gehäuse: TO220iso
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
Max. Drainstrom: | 5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
Max. Drainstrom: | 5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Montage: | THT |
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