STF9NK90Z

Symbol Micros: TSTF9NK90z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 40W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF9NK90Z RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9826 1,5828 1,3537 1,2157 1,1666
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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