STFW3N150

Symbol Micros: TSTFW3N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3Piso
Transistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 63W; -50°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO-3Piso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STFW3N150 RoHS Gehäuse: TO 3Piso Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 15+ 30+ 150+
Nettopreis (EUR) 3,0703 2,6754 2,4908 2,4348 2,3623
Standard-Verpackung:
15
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO-3Piso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT