STFW4N150

Symbol Micros: TSTFW4n150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 7Ohm; 4A; 63W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT