STFW4N150
Symbol Micros:
TSTFW4n150
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 7Ohm; 4A; 63W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
Gehäuse: | TO 3P |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 1500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
Gehäuse: | TO 3P |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 1500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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